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    當(dāng)前位置：材料測(cè)試 ?  材料加工 ? 

    氬離子拋光（離子研磨CP）

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    氬離子拋光（離子研磨CP）

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    如有各類設(shè)備采購(gòu)需求，請(qǐng)聯(lián)系專屬顧問(wèn)。
    項(xiàng)目介紹

    氬離子拋光技術(shù)/離子研磨CP（Cross section Polisher）用于SEM、EPMA、EBSD等樣品的制備。

    依靠離子束轟擊制備樣品剖面，可以獲得表面平滑的樣品，觀察范圍大、清潔而且適用于幾乎所有材料，而不會(huì)對(duì)樣品造成機(jī)械損害。

    去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品。

    樣品要求

    1.送樣前需要對(duì)樣品進(jìn)行預(yù)處理：樣品預(yù)磨拋，樣品要磨平，樣品的上下表面要平行，樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平，在顯微鏡下看起來(lái)光滑，不粗糙;

    2. 送測(cè)樣品的尺寸要求:塊狀樣品：以待拋光區(qū)域?yàn)橹行狞c(diǎn)，樣品直徑不超過(guò)30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨平）粉末樣品：10g以上;

    3. 樣品準(zhǔn)備2-3片；

    4. 預(yù)約時(shí)認(rèn)真填寫樣品信息以及測(cè)試目的，必要時(shí)上傳參考圖片或文件。

    項(xiàng)目案例
    常見問(wèn)題
    1、何時(shí)需要用到氬離子拋光（離子研磨CP）?

    當(dāng)你需要獲得一個(gè)無(wú)損傷、無(wú)假象、能真實(shí)反映材料原始結(jié)構(gòu)的高質(zhì)量平整截面（用于SEM/EBSD等觀察）時(shí)，得用CP。

    2、離子研磨 vs. FIB：如何選擇？

    CP：適合大面積、無(wú)損傷截面（如電池極片、LED芯片層析）。FIB：適合微區(qū)精準(zhǔn)切割（如TEM ），但需后續(xù)CP去除鎵損傷層。

    氬離子拋光（離子研磨CP）

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